Fungsi struktur SOI

Secara umum, SOI dibagi menjadi film tipis dengan struktur FD (Fully Depleted) yang terkuras seluruhnya dan struktur PD (Partially Depleted) film tebal yang terdeplesi sebagian sesuai dengan ketebalan film silikon pada isolator. Karena isolasi dielektrik SOI, lapisan penipisan antarmuka positif dan belakang perangkat yang dibuat pada struktur film SOI tebal tidak saling mempengaruhi. Ada wilayah tubuh netral di antara mereka. Keberadaan daerah tubuh netral ini membuat tubuh silikon mengambang secara elektrik, menghasilkan dua efek parasit yang jelas, satu adalah "efek warping" atau efek Kink, dan yang lainnya adalah efek transistor parasit NPN rangkaian terbuka basis yang terbentuk antara sumber dan saluran pembuangan. perangkat. Jika wilayah netral ini dibumikan melalui kontak integral, karakteristik kerja perangkat film tebal akan hampir sama dengan perangkat silikon curah. Perangkat yang didasarkan pada struktur SOI film tipis sepenuhnya menghilangkan "efek pembengkokan" karena penipisan penuh film silikon, dan perangkat tersebut memiliki keunggulan medan listrik rendah, transkonduktansi tinggi, karakteristik saluran pendek yang baik, dan kemiringan subthreshold yang mendekati ideal. . Oleh karena itu, film tipis FDSOI yang terkuras sepenuhnya harus menjadi struktur SOI yang sangat menjanjikan.