Wafer GaAs atau wafer substrat GaAs. Wafer 2"GaAs, wafer 3"GaAs, wafer 4"GaAs, wafer 6"GaAs

Wafer GaAs untuk VCSEL, wafer GaAs untuk LD, wafer GaAs untuk LED, wafer GaAs untuk Mikroelektronika.

Wafer Substrat GaAs
BARANG	Satuan	Spesifikasi Aplikasi LD	Spesifikasi Aplikasi LED	Spesifikasi Mikroelektronika
Jenis Perilaku		tipe-n	tipe-p/tipe-n	-
Metode Pertumbuhan Kristal		VGF	VGF	VGF
Dopan		Ya	Zn/Si	Dibatalkan
Diameter	inci	2",3",4"dan 6"	2",3",4"dan 6"	2",3",4"dan 6"
Orientasi Wafer		(100)±0,1 derajat	(100)±0,5 derajat	(100)±0,5 derajat
DARI/JIKA		AS atau EJ	AS atau EJ	AS, EJ atau takik
Konsentrasi Pembawa	/CM³	(0.4-2.5)×10¹⁸	(0.5-5)×10¹⁹ (0.4-4)×10¹⁸
Resistivitas (di RT)	ohm.cm	(1.2-9.9)×10^-3	(1.2-9.9)×10^-3	>10⁷
Mobilitas	cm²/vs	>1500	5-120/>1000	>4000
Kepadatan Lubang Etch (EPD)	/cm²	<500	<5000	<5000
Penandaan Laser		Berdasarkan permintaan	Berdasarkan permintaan	Berdasarkan permintaan
Ketebalan	μm	(350-650)±25	(350-650)±25	(350-650)±25
TV(P/P)	μm	Kurang dari atau sama dengan 5	Kurang dari atau sama dengan 5	Kurang dari atau sama dengan 4
TV(P/E)	μm	Kurang dari atau sama dengan 10	Kurang dari atau sama dengan 10	Kurang dari atau sama dengan 10
Melengkung	μm	Kurang dari atau sama dengan 10	Kurang dari atau sama dengan 10	Kurang dari atau sama dengan 10
Permukaan	Sisi1 Sisi2	Dipoles Dipoles / Terukir	Dipoles Dipoles / Terukir	Dipoles Dipoles / Terukir
Siap untuk epi		Ya	Ya	Ya
Kemasan		Kaset atau wadah wafer tunggal	Kaset atau wadah wafer tunggal	Kaset atau wadah wafer tunggal
* Ketebalan dan orientasi wafer dapat ditentukan.