Deskripsi Produk:

Perusahaan Bahan Elektronik Ruyuan Shanghai menyediakan wafer Indium Fosfida (InP) berkualitas tinggi sebagai bahan semikonduktor utama yang digunakan di bidang telekomunikasi dan mikroelektronika. InP dapat beroperasi pada daya dan suhu tinggi. InP digunakan dalam Komunikasi Serat Optik, Jaringan Nirkabel (WLAN), Handset Seluler, Komunikasi Blue Tooth, Komunikasi Satelit, Sirkuit Terpadu Gelombang Mikro Monolitik (MMIC), serta Sirkuit Terpadu Frekuensi Radio (RFIC).

Barang	Satuan	Semi-isolasi Spesifikasi	Semi-perilaku Spesifikasi
Jenis Perilaku			(tipe-n)		(tipe-p)
Metode Pertumbuhan Kristal		VGF	VGF
Dopan		Fe	S,Sn	Dibatalkan		Zn
Diameter	inci	2",3",4"	2",3 derajat ,4"
Orientasi Wafer*		(100)±0,5 derajat	(100)±0,5 derajat
DARI/JIKA		AS, EJ	AS, EJ
Resistivitas (di RT)	ohm.cm	Lebih besar atau sama dengan 0.5×10⁷	-- -- --
Konsentrasi Pembawa	sentimeter^-3	--	(0.8-8)×10¹⁸	(1-10)×10¹⁵		(0.8-8)×10¹⁸
Mobilitas	cm²/vs	Lebih besar dari atau sama dengan 1000	1000-2500	3000-5000		50-100
Kepadatan Lubang Etch (EPD)	cm²	Kurang dari atau sama dengan 5000	Kurang dari atau sama dengan 5000	Kurang dari atau sama dengan 5000		Kurang dari atau sama dengan 500
Penandaan Laser		Berdasarkan permintaan	Berdasarkan permintaan
Ketebalan*	μm	(350-675)±25	(350-675)±25
TV(PIP)	μm	Kurang dari atau sama dengan 10	Kurang dari atau sama dengan 10
TV(P/E)	μm	Kurang dari atau sama dengan 15	Kurang dari atau sama dengan 15
Melengkung	μm	Kurang dari atau sama dengan 15	Kurang dari atau sama dengan 15
Permukaan	Sisi1	Dipoles / Terukir	Dipoles / Terukir
Permukaan	Sisi2	Dipoles / Terukir	Dipoles / Terukir
Epi-siap		Ya	Ya
Kemasan		Kaset atau tunggal wadah wafer	Kaset atau tunggal wadah wafer

Orientasi dan Ketebalan Wafer tersedia berdasarkan permintaan.

Tag populer: Substrat inp 2", 3" dan 4", Cina produsen, pemasok, pabrik substrat inp 2", 3" dan 4"

Substrat InP 2", 3" dan 4".

Deskripsi Produk: